15日，記者從中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲悉，該校張樹辰特任教授團(tuán)隊聯(lián)合美國普渡大學(xué)、上海科技大學(xué)的研究團(tuán)隊，首次在二維離子型軟晶格材料中，實(shí)現(xiàn)了面內(nèi)可編程、原子級平整的“馬賽克”式異質(zhì)結(jié)可控構(gòu)筑，為低維光伏材料的集成化與器件化開辟了全新路徑。相關(guān)成果15日在線發(fā)表于國際學(xué)術(shù)期刊《自然》。

在半導(dǎo)體領(lǐng)域，能夠在材料平面內(nèi)橫向精準(zhǔn)構(gòu)建異質(zhì)結(jié)構(gòu)，是探索新奇物性、研發(fā)新型器件及推動器件微型化的關(guān)鍵。然而，以二維鹵化物鈣鈦礦為代表的離子型軟晶格半導(dǎo)體，其晶體結(jié)構(gòu)柔軟且不穩(wěn)定，傳統(tǒng)光刻加工等技術(shù)往往因反應(yīng)過于劇烈而破壞材料結(jié)構(gòu)，難以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量、可控外延的橫向異質(zhì)集成。

面對這一挑戰(zhàn)，研究團(tuán)隊提出并發(fā)展了一種引導(dǎo)晶體內(nèi)應(yīng)力“自刻蝕”新方法。他們設(shè)計了一種溫和的配體—溶劑微環(huán)境，能夠選擇性地激活并利用這些內(nèi)應(yīng)力，引導(dǎo)單晶在特定位置發(fā)生可控的“自刻蝕”，從而形成規(guī)則的方形孔洞結(jié)構(gòu)。隨后，團(tuán)隊通過快速外延生長技術(shù)，將不同種類的半導(dǎo)體材料精準(zhǔn)回填，最終在單一晶片內(nèi)部構(gòu)筑出晶格連續(xù)、界面原子級平整的高質(zhì)量“馬賽克”異質(zhì)結(jié)。

“這種全新的加工方法，不是通過‘拼接’不同材料，而是在同一塊完整晶體中，引導(dǎo)它自身進(jìn)行精密的‘自我組裝’。”張樹辰說，“這意味著，未來我們有可能在一塊極薄的材料上，直接‘生長’出密集排列的、能發(fā)出不同顏色光的微小像素點(diǎn)，為高性能發(fā)光與顯示器件的發(fā)展，提供一種全新的備選材料體系和設(shè)計思路。”